Modelado de gran señal de transistores para alta frecuencia (HEMTs)

Vista sencilla de ítem
dc.contributorUniversidad Don Boscospa
dc.contributor.authorRivas, Wenceslao
dc.date.accessioned2015-09-01T18:23:58Z
dc.date.available2015-09-01T18:23:58Z
dc.date.issued2000-05
dc.description.abstractEn este trabajo se presenta una solución relativamente sencilla y precisa al problema de simular el comportamiento de un determinado HEMT cuando éste trabaja en una aplicación de gran señal. La solución consiste en el uso de un "modelo por tablas", es decir, que cada parámetro esta definido por una lista de valores que dependen de Vgs y Vds. Estos valores se han de determinar por medio de un procedimiento que toma en consideración algunos problemas técnicos típicos en este tipo de aplicaciones. Como comprobación de la utilidad del modelo se han comparado los resultados obtenidos del análisis realizado por medio de un programa de simulación a un mezclador para 10 HGz., donde para describir HEMT se ha usado el modelo presentado, con los resultados obtenidos de mediciones hechas al mezclador real.es
dc.format.extent13 p.spa
dc.format.mimetypeapplication/pdfeng
dc.identifier.citationRivas, W..(2000). Modelado de gran señal de transistores para alta frecuencia (HEMTs). Revista Científica, (1), pp. 9-14.es
dc.identifier.issn1814-6309
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11715/168
dc.language.isospaes
dc.publisherEditorial Universidad Don Boscoes
dc.relation.isformatofReproducción del documento originalspa
dc.relation.ispartofseriesRevista Científica, 2000, No. 1, p. 9-14eng
dc.rights© Universidad Don Boscospa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesseng
dc.subjectCientíficaes
dc.subjectSeñaleses
dc.subjectTransistoreses
dc.subjectAlta Frecuenciaes
dc.titleModelado de gran señal de transistores para alta frecuencia (HEMTs)es
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleeng
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersioneng
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No. 01, mayo 2000